Rusya, kendi geliştireceği EUV litografi sistemleriyle çip üretiminde bağımsızlaşmayı hedefliyor. Yol haritasına göre, 2037 yılına kadar 10 nm altı üretim mümkün olacak.
Rusya Bilimler Akademisi'ne bağlı Mikroyapı Fiziği Enstitüsü, aşırı ultraviyole (EUV) litografi cihazları için uzun vadeli planlarını açıkladı. Paylaşılan yol haritası, 2026 yılında 40 nm üretimle başlayacak ve 2037’ye kadar 10 nm altı seviyelere ulaşmayı hedefliyor.
ASML’ye Alternatif, Farklı Bir Teknoloji Yaklaşımı
Rusya'nın EUV sistemleri, Hollandalı dev ASML’nin çözümlerini kopyalamak yerine tamamen farklı teknolojiler üzerine kuruluyor. Hibrit katı hâl lazerleri, ksenon plazma tabanlı ışık kaynakları ve Ru/Be aynalar sistemi oluşturacak temel bileşenler arasında.
Bu yaklaşımın avantajları arasında daha düşük bakım ihtiyacı, daha sade sistem mimarisi ve fotomask aşınmasının minimize edilmesi yer alıyor. Ayrıca, derin ultraviyole (DUV) makinelerinde yaygın olan sıvı daldırma (immersion lithography) gibi karmaşık işlemlere gerek duyulmayacak.
Yol Haritasında 3 Ana Aşama Var
Rusya’nın sunduğu EUV litografi yol haritası şu üç ana aşamadan oluşuyor:
2026-2028 (40 nm):
İki aynalı optik sistemle çalışan temel makine, 10 nm hizalama hassasiyeti ve saatte 5 wafer işlem kapasitesine sahip olacak.
2029-2032 (28-14 nm):
Dört aynalı tarayıcı ile 5 nm hizalama doğruluğu ve saatte 50 wafer üretimi hedefleniyor.
2033-2036 (10 nm altı):
Altı aynalı gelişmiş sistemle, 2 nm hizalama toleransı ve saatte 100 wafer işleme kapasitesi planlanıyor.
Bu makineler, çözünürlük açısından 65 nm’den 9 nm’ye kadar geniş bir yelpazede işlem yapabilecek. Sistemin maliyet avantajı ve kompakt yapısı sayesinde, büyük çip üretim tesislerine alternatif olarak küçük üreticiler için cazip bir çözüm sunması hedefleniyor.